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转移电子器件
zhuǎn yí diàn zi qì jiàn
ㄓㄨㄢˇ ㄧˊ ㄉㄧㄢˋ ㄗ˙ ㄑㄧˋ ㄐㄧㄢˋ
「转移电子器件」是什么意思？
更新 2026-07-10 21:53:38
- 拼音字母zhuan yi dian zi qi jian
- 首字母zydzqj
- 注音符号ㄓㄨㄢ ㄧ ㄉㄧㄢ ㄗ ㄑㄧ ㄐㄧㄢ
扩展释义
耿氏二极管（英语：Gunn diode，香港作耿氏二极体，台湾作甘恩二极体、刚氏二极体），或称转移电子器件（transferred electron device, TED）是一种在高频率电子学中应用的二极管形式。与一般的二极管同时具有N型区和P型区不同，它只由N型杂质半导体材料组成。耿氏二极管具有三个区域：两端是N型重掺杂区，介于二者中间的是一层轻掺杂的薄层。当电压施加在耿氏二极管的两端时，中央薄层处的电梯度（electrical gradients，类似电化学梯度）最大。由于在导体材料中，电流与电压成正比，导电性将会产生。最终，中央薄层处会产生较高的电场值，从而得到较高的电阻，阻止导电性的...
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